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第1級陸上無線技術士、第1種伝送交換主任技術者、第1種アナログ工事担任のTOITAが航空無線を目指す、皆様のお手伝いをします。



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TOITAの「航空無線通信士受験クラブ」第19期受験直前講座 (17〉FETその2の解答の1

        第19期受験直前講座
        (17)FETその2の解答の1

          
今回は、前回出題いたしました演習問題の解答とその解
説を行いますが、解説が長くなりますので、 2回に分けて
お話をする事と致しました。

[演習問題23]
次の記述は、 図に示す電界効果トランジスタ(FET) に つ
いて述べたものです。 (      )  内に入れるべき字句の正し
い組合せを下の番号から選んで下さい。

(1) 構造による分類は、( A ) FET である。
(2) チャンネルによる分類は、( B ) FET である。
(3) 動作特性による分類は、( C ) FET である。

注・・回路図記号は、平成26年4月1日以降の無線従事者
  試験では、ケースを表す丸が無くなっています。


   G:ゲート  D:ドレイン  S:ソース

       A                B                         C
1 MOS形   Pチャンネル形  エンハンスメント形
2 MOS形  Nチャンネル形  デプレッション形
3 MOS形  Pチャンネル形   デプレッション形
4 接合形   Nチャンネル形  デプレッション形
5 接合形   Pチャンネル形   エンハンスメント形

[演習問題23の解答と解説]
(1)構造による分類
  電界効果トランジスターには、大きく分けて構造の違
  いにより2種類あります。
  次の図は、接合形電界効果トランジスタ―で p 形半
  体と n形半導体を くっつけてありますので 接合形
  です。

  そして次の図は、MOS形電界効果トランジスターです
  。

  図では、nチャンネルのMOS形電界効果トランジスター
  (以下 MOS と言います。)を示しています。
  p形半導体の上に2か所、シリコンより原子価が1つ多
  い物質を高濃度で入れています。
  この部分は、n形半導体になります。
  高濃度で入れていますのでN+と表記してあります。
  p形半導体と今作りました n形半導体の上の部分を酸
  化させて酸化被膜とします。
  図では、黒の部分です。
  酸化被膜は、電気を通さない絶縁体になります。
   n形半導体の上の部分の 酸化被膜に穴をあけ、 アル
  ミを蒸着します。このアルミが電極となります。
  この部分がソースとドレインになります。
  そして、ドレインとソースの中間あたりの酸化被膜の上
  にアルミを蒸着しますと、そこがゲートになります。
  MOS とは、etal Oxide Semiconductor の事です。
  Metal は、アルミで作った電極の事です。
  Oxide は、酸化被膜の事です。
  そして Semiconductor は、 n形半導体と p形半導体の
  事です。
  ゲートの部分を見ますと上からアルミ(Metal) 、酸化被
  膜(Oxide) 、そして p 形半導体 (Semiconductor) となり
  ますので M-O-S と覚えられると良いでしょう。

  せっかくですから、 MOS に ドレイン電流:Id が 流れる
  仕組みと Id を制御する仕組みをお話いたします。
  上の図では、ドレインに電池の”+”。ソースに”-”が繋
  がれています。

続きは、記事をお買い求めの上、お読みください。

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直ぐに、詳しい「入塾のご案内」をお送り致します。
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